摘要： <正>一、引言 国防工程特别是空间技术使用的计算机对铁氧体记忆磁芯的温度特性要求很高。目前广泛使用着的锂锰铁氧体和锂镍锌铁氧体磁芯在温度特性上虽然比锰镁铁氧体磁芯有显著地改善,但是仍然不够理想。因此,进一步改善磁芯的温度特性很有必要。国外已研制成功温度特性非常好的“TIN”磁芯。一九七三年二月京津沪情报网在南京召开的“磁性材料与器件技术交流会”也确定了这一研究课题。我们从七三年五月至九月对锂锰铁氧体进行了掺钴试验,发现成分为Li_(0.466)CO_(0.008)Mn_(0.04)V_(0.01)Ni_(0.06)Fe_(2.416)O_4磁芯,不仅矩形性好、开关时间短而且温度特性比不加钴的有明显的改善。其读“1”信号(UV_1)随温度的变化仅为0.025mV/℃,温度系数是0.06％/℃。
郭文彬
,徐显兔. JK-3宽温快速记忆磁芯[J]. , 1975, 1(01): 31-34.