›› 1976, Vol. 2 ›› Issue (01): 78-79.
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俞书良
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摘要： <正> 据报导在美国弗城举行的1975年国际固体电路会议上,英特尔公司发表了一个称为2106的n沟MOS 4K RAM(随机存储器)。这种4K RAM取数时间为80毫微秒,周期时间为150毫微秒,速度为目前市场上最快的4K RAM的三倍。存储单元采用与AMS 7001 1K RAM相类似的电荷泵浦式电路结构,如图1所示。
俞书良. 简讯[J]. , 1976, 2(01): 78-79.
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