›› 1976, Vol. 2 ›› Issue (Z1): 37-.
• 论文 • 上一篇 下一篇
发布日期:
Published:
摘要： <正> 一、概况: 这里介绍的是一台1970年开始研制的MOS和双极性混合使用的高速缓冲存贮器,其读写同期T≤250ns,容量为512,字长48位,存贮单元用Mos集成电路,而读写驱动等外围电路则采用双极型集成电路。我们用的Mos存贮元件是上无十四厂生产的静态P沟铝栅增强型,集成
. 512字250ns随机存贮器[J]. , 1976, 2(Z1): 37-.
/ 推荐 / 导出引用
链接本文: https://www.ecice06.com/CN/Y1976/V2/IZ1/37